DG444DY+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 30 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 SOIC-Narrow-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 30 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 30 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:PDIP-16
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 30 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 PDIP-16 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:PDIP-16
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 30 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 PDIP-16 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 30 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:WLP-12
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、供电类型 Single Supply、配置 2 x SPDT、导通电阻(最大值) 650 mOhms,采用 WLP-12 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TDFN-EP-10
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 1.6 V、电源电压(最大值) 5.5 V、供电类型 Single Supply、配置 2 x DPDT、导通电阻(最大值) 550 mOhms,采用 TDFN-EP-10 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:ULTRA-TQFN-10
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5 V、配置 2 x DPDT、导通电阻(最大值) 5 Ω、导通时间(最大值) 60 us,采用 ULTRA-TQFN-10 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:ULTRA-TQFN-10
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5 V、配置 2 x DPDT、导通电阻(最大值) 5 Ω、导通时间(最大值) 60 us,采用 ULTRA-TQFN-10 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:ULTRA-TQFN-10
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5 V、配置 2 x DPDT、导通电阻(最大值) 5 Ω、导通时间(最大值) 60 us,采用 ULTRA-TQFN-10 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:UTQFN-10
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 2.4 V、电源电压(最大值) 5.5 V、配置 1 x DPDT、导通电阻(最大值) 350 mOhms、导通时间(最大值) 90 us,采用 UTQFN-10 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:WLP-9
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 1.6 V、电源电压(最大值) 5.5 V、最小双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 5 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 WLP-9 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:WLP-9
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 1.6 V、电源电压(最大值) 5.5 V、最小双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 5 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 WLP-9 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TQFN-28
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最小值) 1.6 V、电源电压(最大值) 5.5 V、供电类型 Single Supply、配置 8 x SPST、导通电阻(最大值) 1 Ω,采用 TQFN-28 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TQFN-28
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最小值) 1.6 V、电源电压(最大值) 5.5 V、供电类型 Single Supply、配置 8 x SPST、导通电阻(最大值) 1 Ω,采用 TQFN-28 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TDFN-EP-8
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、最小双电源电压 +/- 25 V、最大双电源电压 +/- 25 V、配置 1 x SPDT,采用 TDFN-EP-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TQFP-48
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 16 个通道、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、最小双电源电压 - 160 V, 40 V、最大双电源电压 0 V, 250 V、供电类型 Dual Supply,采用 TQFP-48 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TQFN-20
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3~5.5 V、供电类型 Single Supply、配置 4 x SPST,采用 TQFN-20 封装。Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 TH。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TQFN-20
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply、配置 4 x SPST、导通电阻(最大值) 10 Ω,采用 TQFN-20 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。