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DG455EY-T1-E3

Vishay Semiconductors · 封装:SOIC-16

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 0 V、电源电压(最大值) 12 V、最小双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 15 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 SOIC-16 封装。

DG456EQ-T1-E3

Vishay Semiconductors · 封装:TSSOP-16

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 0 V、电源电压(最大值) 12 V、最小双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 15 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 TSSOP-16 封装。

DG467DV-T1-E3

Vishay Semiconductors · 封装:TSOP-6

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 7 V、电源电压(最大值) 36 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 TSOP-6 封装。

DG468DV-T1-E3

Vishay Semiconductors · 封装:TSOP-6

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 7 V、电源电压(最大值) 36 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 TSOP-6 封装。

DG470EQ-T1-E3

Vishay Semiconductors · 封装:MSOP-8

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 0 V、电源电压(最大值) 12 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 15 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 MSOP-8 封装。

DG612EEN-T1-GE4

Vishay Semiconductors · 封装:QFN-16

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 16 V、最小双电源电压 +/- 3 V、最大双电源电压 +/- 8 V、供电类型 Dual Supply,采用 QFN-16 封装。

DG613EEN-T1-GE4

Vishay Semiconductors · 封装:QFN-16

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 16 V、最小双电源电压 +/- 3 V、最大双电源电压 +/- 8 V、供电类型 Dual Supply,采用 QFN-16 封装。

DG613EEQ-T1-GE4

Vishay Semiconductors · 封装:TSSOP-16

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 16 V、最小双电源电压 +/- 3 V、最大双电源电压 +/- 8 V、供电类型 Dual Supply,采用 TSSOP-16 封装。

DG636EEQ-T1-GE4

Vishay Semiconductors · 封装:TSSOP-14

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 16 V、最小双电源电压 +/- 3 V、最大双电源电压 +/- 8 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 TSSOP-14 封装。

DG9232EDY-GE3

Vishay Semiconductors · 封装:SOIC-8

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、供电类型 Single Supply、配置 2 x SPST、导通电阻(最大值) 65 Ω,采用 SOIC-8 封装。

DG9233EDY-GE3

Vishay Semiconductors · 封装:SOIC-8

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5 V、配置 2 x SPST、导通电阻(最大值) 65 Ω、导通时间(最大值) 200 ns,采用 SOIC-8 封装。

DG9422EDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 16 V、最小双电源电压 +/- 3 V、最大双电源电压 +/- 8 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply。

DG9424EDN-T1-GE4

Vishay / Siliconix

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 16 V、最小双电源电压 +/- 3 V、最大双电源电压 +/- 8 V、配置 4 x SPST。

DG9426EDQ-T1-GE3

Vishay Semiconductors · 封装:TSSOP-16

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 16 V、最小双电源电压 +/- 3 V、最大双电源电压 +/- 8 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 TSSOP-16 封装。

DG9431EDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors · 封装:SOIC-8

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、供电类型 Single Supply、配置 1 x SPDT、导通电阻(最大值) 65 Ω,采用 SOIC-8 封装。

DG442ETE+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TQFN-16

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 30 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 TQFN-16 封装。

DG445DY+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-16

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 30 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 SOIC-Narrow-16 封装。

DG444CJ+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:PDIP-16

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 30 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 PDIP-16 封装。

DG444CY+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-16

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 30 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 SOIC-Narrow-16 封装。

DG444DJ+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:PDIP-16

该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 30 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 PDIP-16 封装。

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