MIKROE-5423
Mikroe
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 RS。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Mikroe
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 RS。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-24
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.65~3.6 V、供电类型 Single Supply、配置 6 x DPDT,采用 TQFN-24 封装。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括组装国家或地区 中国、原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:WLCSP-36
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 10 个通道、电源电压(最小值) 1.5 V、电源电压(最大值) 5 V、配置 10 x SPDT、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 WLCSP-36 封装。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated · 封装:SOT-363-6
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 1.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.5~5.5 V、供电类型 Single Supply、配置 1 x SPDT,采用 SOT-363-6 封装。Diodes Incorporated · 封装:DFN-6
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 1.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.5~5.5 V、供电类型 Single Supply、配置 1 x SPDT,采用 DFN-6 封装。Diodes Incorporated · 封装:SOT-23-5
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.65~5.5 V、供电类型 Single Supply、配置 1 x SPST,采用 SOT-23-5 封装。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:SOT-363-6
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 1.08 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.08~5.5 V、供电类型 Single Supply、导通电阻(最大值) 3 Ω、最小工作温度 - 40 C,采用 SOT-363-6 封装。Diodes Incorporated · 封装:SOT-363-6
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 1.08 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.08~5.5 V、供电类型 Single Supply、导通电阻(最大值) 3 Ω、最小工作温度 - 40 C,采用 SOT-363-6 封装。Microchip Technology · 封装:TQFP-48
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、导通电阻(最大值) 38 Ω、导通时间(最大值) 5 us、关断时间(最大值) 5 us,采用 TQFP-48 封装。Microchip Technology · 封装:TQFP-48
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、导通电阻(最大值) 38 Ω、导通时间(最大值) 5 us、关断时间(最大值) 5 us,采用 TQFP-48 封装。Microchip Technology · 封装:BCC-26
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 13.2 V、最小双电源电压 - 160 V, 40 V、最大双电源电压 - 40 V, 190 V、供电类型 Dual Supply,采用 BCC-26 封装。Microchip Technology · 封装:TQFP-48
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 12.6 V、导通电阻(最大值) 32 Ω、导通时间(最大值) 5 us、关断时间(最大值) 5 us,采用 TQFP-48 封装。Microchip Technology
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 16 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、最小双电源电压 - 160 V, 40 V、最大双电源电压 - 40 V, 160 V、配置 16 x SPST。Microchip Technology · 封装:TQFP-48
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 16 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、导通电阻(最大值) 38 Ω、导通时间(最大值) 5 us、关断时间(最大值) 5 us,采用 TQFP-48 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。