DG2012EDL-T1-GE3
Vishay Semiconductors · 封装:SC-70-6
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、配置 1 x SPDT、导通电阻(最大值) 2 Ω、导通时间(最大值) 35 ns,采用 SC-70-6 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Vishay Semiconductors · 封装:SC-70-6
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、配置 1 x SPDT、导通电阻(最大值) 2 Ω、导通时间(最大值) 35 ns,采用 SC-70-6 封装。Vishay Semiconductors · 封装:QFN-16
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 24 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 15 V、供电类型 Dual Supply,采用 QFN-16 封装。Vishay Semiconductors · 封装:TSSOP-16
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 24 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 15 V、供电类型 Dual Supply,采用 TSSOP-16 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SOIC-16
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 0 V、电源电压(最大值) 12 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 22 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 SOIC-16 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 10.8 V、电源电压(最大值) 16.5 V、最小双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 15 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 10.8 V、电源电压(最大值) 16.5 V、最小双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 15 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Vishay Semiconductors · 封装:TSSOP-16
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 0 V、电源电压(最大值) 12 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 22 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 TSSOP-16 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-10
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 44 V、最小双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 22 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply,采用 LFCSP-10 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-10
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 44 V、最小双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 22 V、双电源电压 5~22 V,采用 LFCSP-10 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-16
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 40 V、最小双电源电压 4.5 V、最大双电源电压 22 V、双电源电压 4.5~22 V,采用 LFCSP-16 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-16
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 40 V、最小双电源电压 4.5 V、最大双电源电压 22 V、双电源电压 4.5~22 V,采用 LFCSP-16 封装。Analog Devices
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 20 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 16.5 V、配置 8 x SPST。Analog Devices
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 韩国。Analog Devices · 封装:LGA-30
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 20 V、最小双电源电压 4.5 V, - 4.5 V、最大双电源电压 - 16 V, 16 V、双电源电压 4.5~16.5 V,采用 LGA-30 封装。Analog Devices · 封装:LGA-30
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 20 V、最小双电源电压 4.5 V, - 4.5 V、最大双电源电压 - 16 V, 16 V、双电源电压 4.5~16.5 V,采用 LGA-30 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TSSOP-28
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 16 个通道、电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、最小双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、工作电源电压 10~20 V,采用 TSSOP-28 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TSSOP-28
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 16 个通道、电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、最小双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、工作电源电压 10~20 V,采用 TSSOP-28 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:PDIP-14
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 9 V、电源电压(最大值) 36 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 18 V、供电类型 Dual Supply,采用 PDIP-14 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-14
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 9 V、电源电压(最大值) 36 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 18 V、供电类型 Dual Supply,采用 SOIC-14 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-14
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 9 V、电源电压(最大值) 36 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 18 V、供电类型 Dual Supply,采用 SOIC-14 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。