DG211BDY-E3
Vishay / Siliconix · 封装:SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.5~25 V、双电源电压 +/- 4.5 V to +/- 22 V、最大双电源电压 +/- 22 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压(最大值) 25 V、电源电压(最小值) 4.5 V,采用 SOIC-Narrow-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Vishay / Siliconix · 封装:SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.5~25 V、双电源电压 +/- 4.5 V to +/- 22 V、最大双电源电压 +/- 22 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压(最大值) 25 V、电源电压(最小值) 4.5 V,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Renesas / Intersil · 封装:SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5~34 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 17 V、最小双电源电压 +/- 5 V、电源电压(最大值) 34 V、电源电压(最小值) 5 V,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Vishay / Siliconix · 封装:SOIC-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 15 V、双电源电压 +/- 15 V、电源电压(最大值) 44 V、电源电压(最小值) 25 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply、开关数 4 Switch,采用 SOIC-16 封装。Vishay / Siliconix · 封装:SOIC-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 15 V、双电源电压 +/- 15 V、电源电压(最大值) 44 V、电源电压(最小值) 25 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply、开关数 4 Switch,采用 SOIC-16 封装。Vishay / Siliconix · 封装:DIP-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.5~25 V、双电源电压 +/- 4.5 V to +/- 22 V、最大双电源电压 +/- 22 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压(最大值) 25 V、电源电压(最小值) 4.5 V,采用 DIP-16 封装。Vishay / Siliconix · 封装:PDIP-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.5~25 V、双电源电压 +/- 4.5 V to +/- 22 V、最大双电源电压 +/- 22 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压(最大值) 25 V、电源电压(最小值) 4.5 V,采用 PDIP-16 封装。Vishay / Siliconix · 封装:SOIC-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 12 V、双电源电压 +/- 15 V、电源电压(最大值) 44 V、电源电压(最小值) 25 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply、开关数 4 Switch,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~12 V、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 2 V、供电类型 Single Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST,采用 TSSOP-14 封装。Texas Instruments · 封装:MSOP-10
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.65~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT,采用 MSOP-10 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.5~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.5 V、供电类型 Single Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST,采用 TSSOP-14 封装。Diodes Incorporated
该型号为集成电路。Diodes Incorporated
该型号为集成电路。NXP Semiconductors · 封装:XQFN-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.4~4.3 V、电源电压(最大值) 4.3 V、电源电压(最小值) 1.4 V、供电类型 Single Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x 4PDT,采用 XQFN-16 封装。Texas Instruments · 封装:PDIP-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~10 V、电源电压(最大值) 10 V、电源电压(最小值) 2 V、供电类型 Single Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST,采用 PDIP-14 封装。Texas Instruments · 封装:MSOP-10
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.65~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT,采用 MSOP-10 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SC-70-6
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPDT,采用 SC-70-6 封装。Texas Instruments · 封装:SM-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.65~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPST,采用 SM-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOT-23-5
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 12 V、双电源电压 +/- 1 V to +/- 6 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 1 V、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 2 V,采用 SOT-23-5 封装。Texas Instruments · 封装:SOT-23-5
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.65~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPST,采用 SOT-23-5 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:UMLP-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.65~4.3 V、电源电压(最大值) 4.3 V、电源电压(最小值) 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x 4PDT,采用 UMLP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。