DG413HSDN-T1-E4
Vishay / Siliconix · 封装:QFN-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 44 V、双电源电压 +/- 15 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST、导通电阻(最大值) 35 Ω,采用 QFN-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Vishay / Siliconix · 封装:QFN-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 44 V、双电源电压 +/- 15 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST、导通电阻(最大值) 35 Ω,采用 QFN-16 封装。Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 10~30 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 +/- 5 V、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 10 V,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3~15 V、双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压(最大值) 15 V、电源电压(最小值) 3 V,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Maxim Integrated · 封装:UMAX-10
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.8~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT,采用 UMAX-10 封装。Microchip Technology · 封装:QFN-56
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3~5.5 V、双电源电压 +/- 100 V、最大双电源电压 - 40 V, 200 V、最小双电源电压 - 160 V, 40 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V,采用 QFN-56 封装。Vishay / Siliconix · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 20 V、双电源电压 +/- 15 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPST、导通电阻(最大值) 25 Ω,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:LQFP-48
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3~5.5 V、双电源电压 +/- 100 V、最大双电源电压 - 40 V, 200 V、最小双电源电压 - 160 V, 40 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V,采用 LQFP-48 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-10
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 12 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 16.5 V、最小双电源电压 +/- 5 V、电源电压(最大值) 16.5 V、电源电压(最小值) 5 V,采用 MSOP-10 封装。Maxim Integrated · 封装:CSBGA-26
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.7~6 V、双电源电压 +/- 100 V、最大双电源电压 - 15 V, 185 V、最小双电源电压 - 160 V, 40 V、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.7 V,采用 CSBGA-26 封装。Maxim Integrated · 封装:TDFN-8 EP
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 9~40 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 20 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压(最大值) 40 V、电源电压(最小值) 9 V,采用 TDFN-8 EP 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.8~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、供电类型 Single Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST,采用 LFCSP-20 封装。Maxim Integrated · 封装:SOT-23-5
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 1 V、供电类型 Dual Supply、开关数 1 Switch,采用 SOT-23-5 封装。Maxim Integrated · 封装:SOIC-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 9~36 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 9 V,采用 SOIC-20 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-12
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 12 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 16.5 V、最小双电源电压 +/- 5 V、电源电压(最大值) 16.5 V、电源电压(最小值) 5 V,采用 LFCSP-12 封装。Vishay / Siliconix · 封装:QFN-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 12 V、双电源电压 +/- 15 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST、导通电阻(最大值) 80 Ω,采用 QFN-16 封装。Analog Devices · 封装:TSSOP-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 12 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 16.5 V、最小双电源电压 +/- 13.5 V、电源电压(最大值) 16.5 V、电源电压(最小值) 5 V,采用 TSSOP-16 封装。Microchip Technology · 封装:LQFP-48
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.5~13.2 V、双电源电压 +/- 100 V、最大双电源电压 - 40 V, 200 V、最小双电源电压 - 160 V, 40 V、电源电压(最大值) 13.2 V、电源电压(最小值) 4.5 V,采用 LQFP-48 封装。Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.7~12 V、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 2.7 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPDT,采用 SOIC-8 封装。Vishay / Siliconix · 封装:TSSOP-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.5~25 V、双电源电压 +/- 4.5 V to +/- 22 V、最大双电源电压 +/- 22 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压(最大值) 25 V、电源电压(最小值) 4.5 V,采用 TSSOP-16 封装。Microchip Technology · 封装:PLCC-28
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.5~13.2 V、双电源电压 +/- 100 V、最大双电源电压 - 40 V, 200 V、最小双电源电压 - 160 V, 40 V、电源电压(最大值) 13.2 V、电源电压(最小值) 4.5 V,采用 PLCC-28 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。