DG212BDY-T1-E3
Vishay / Siliconix · 封装:SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.5~25 V、双电源电压 +/- 4.5 V to +/- 22 V、最大双电源电压 +/- 22 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压(最大值) 25 V、电源电压(最小值) 4.5 V,采用 SOIC-Narrow-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Vishay / Siliconix · 封装:SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.5~25 V、双电源电压 +/- 4.5 V to +/- 22 V、最大双电源电压 +/- 22 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压(最大值) 25 V、电源电压(最小值) 4.5 V,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Vishay / Siliconix · 封装:SOIC-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 12 V、双电源电压 +/- 15 V、电源电压(最大值) 44 V、电源电压(最小值) 25 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply、开关数 4 Switch,采用 SOIC-16 封装。Maxim Integrated · 封装:SOT-23-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.7~12 V、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 2.7 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPST,采用 SOT-23-8 封装。Maxim Integrated · 封装:UMAX-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.7~12 V、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 2.7 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPST,采用 UMAX-8 封装。Renesas / Intersil · 封装:TSSOP-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5~44 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 20 V、最小双电源电压 +/- 5 V、电源电压(最大值) 44 V、电源电压(最小值) 5 V,采用 TSSOP-16 封装。Maxim Integrated · 封装:TSSOP-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~12 V、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 2 V、供电类型 Single Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST,采用 TSSOP-14 封装。Maxim Integrated · 封装:SOT-23-5
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~12 V、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 2 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPST,采用 SOT-23-5 封装。Renesas / Intersil · 封装:SOT-23-5
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V、供电类型 Dual Supply、开关数 1 Switch,采用 SOT-23-5 封装。Renesas / Intersil · 封装:SOT-23-5
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.4~12 V、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 2.4 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPST,采用 SOT-23-5 封装。Maxim Integrated · 封装:TDFN-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.8~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPDT,采用 TDFN-8 封装。Renesas / Intersil · 封装:UTQFN-10
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.8~6.5 V、电源电压(最大值) 6.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT,采用 UTQFN-10 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:WLCSP-36
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.65~4.5 V、开关数 10 Switch、配置 10 x SPDT、导通电阻(最大值) 12 Ω、导通时间(最大值) 50 ns、关断时间(最大值) 50 ns,采用 WLCSP-36 封装。Renesas / Intersil · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.7~12 V、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 2.7 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPDT,采用 SOIC-8 封装。Renesas / Intersil · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.7~12 V、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 2.7 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPST,采用 SOIC-8 封装。Maxim Integrated · 封装:UCSP-9
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.8~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPDT,采用 UCSP-9 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~12 V、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 2 V、供电类型 Single Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST,采用 SOIC-14 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~12 V、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 2 V、供电类型 Single Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST,采用 SOIC-14 封装。Vishay / Siliconix · 封装:QFN-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 12 V、双电源电压 +/- 15 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST、导通电阻(最大值) 80 Ω,采用 QFN-16 封装。Maxim Integrated · 封装:SSOP-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.5~36 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 20 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 4.5 V,采用 SSOP-16 封装。Maxim Integrated · 封装:SSOP-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.5~36 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 20 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 4.5 V,采用 SSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。