DG2733EDN-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：DFN-10
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、供电类型 Dual Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT、导通电阻（最大值） 700 mOhms，采用 DFN-10 封装。模拟与信号链
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型号列表
65,377 条型号记录DG2535EDN-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：DFN-10
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT、导通电阻（最大值） 700 mOhms，采用 DFN-10 封装。DG408LEDQ-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 TSSOP-16 封装。DG9454EEN-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V、供电类型 Single Supply、开关数 3 Switch、配置 3 x SPDT，采用 QFN-16 封装。DG2733EDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MSOP-10
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、供电类型 Dual Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT、导通电阻（最大值） 700 mOhms，采用 MSOP-10 封装。DG413LEDJ-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：PDIP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 PDIP-16 封装。DG442LEDQ-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 TSSOP-16 封装。DG411LEDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 TSSOP-16 封装。DG2723DN-T1-E4
Vishay / Siliconix · 封装：QFN-10
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT，采用 QFN-10 封装。FSA515UCX
ON Semiconductor · 封装：WLCSP-4
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 0 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPST，采用 WLCSP-4 封装。DG2001EDV-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：TSOP-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 2.2 V、电源电压（最小值） 1.8 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPDT、导通电阻（最大值） 32 Ω，采用 TSOP-6 封装。DG9232EDY-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPST，采用 SOIC-8 封装。DG4052EEY-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 SOIC-16 封装。DG441LEDJ-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：PDIP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 PDIP-16 封装。DG411LEDY-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 SOIC-16 封装。DG442LEDY-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 SOIC-16 封装。DG442LEDJ-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：PDIP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 PDIP-16 封装。DG409LEDY-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 SOIC-16 封装。DG412LEDJ-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：PDIP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 12 V、双电源电压 3～8 V、最大双电源电压 8 V、最小双电源电压 3 V、电源电压（最大值） 2.4 V、电源电压（最小值） 16 V，采用 PDIP-16 封装。DG412LEDY-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。