DG4051EEN-T1-GE4
Vishay / Siliconix
该型号为集成电路，主要参数包括单件重量 0.001446 oz。模拟与信号链
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型号列表
65,377 条型号记录DG408LEDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 TSSOP-16 封装。DG412LEDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 TSSOP-16 封装。DG2525DN-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：miniQFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.8～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x DPDT，采用 miniQFN-16 封装。DG413LEDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 TSSOP-16 封装。ADGS1412BCPZ-RL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5～20 V、双电源电压 +/- 4.5 V to +/- 16.5 V、最大双电源电压 +/- 16.5 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、电源电压（最小值） 5 V，采用 LFCSP-24 封装。DG2517EDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MSOP-10
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.7 V、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT、导通电阻（最大值） 1.5 Ω，采用 MSOP-10 封装。DG442LEDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 TSSOP-16 封装。DG9233EDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPST，采用 SOIC-8 封装。DG2788ADN-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：miniQFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V、开关数 6 Switch、配置 2 x DPDT, 4 x SPDT、导通电阻（最大值） 370 mOhms、开关电压（最大值） 3 V、导通时间（最大值） 150 us，采用 miniQFN-16 封装。DG9422EDV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
该型号为集成电路，主要参数包括最大双电源电压 8 V、最小双电源电压 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply、开关数 1 Switch。DG412LEDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 SOIC-16 封装。ADGS1412BCPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5～20 V、双电源电压 +/- 4.5 V to +/- 16.5 V、最大双电源电压 +/- 16.5 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、电源电压（最小值） 5 V，采用 LFCSP-24 封装。DG1412EEQ-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4.5～24 V、双电源电压 4.5～15 V、最大双电源电压 15 V、最小双电源电压 4.5 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 4.5 V，采用 TSSOP-16 封装。DG9431EDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPDT，采用 SOIC-8 封装。DG4051EEY-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 SOIC-16 封装。DG408LEDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 SOIC-16 封装。DG1412EEN-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4.5～24 V、双电源电压 4.5～15 V、最大双电源电压 15 V、最小双电源电压 4.5 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 4.5 V，采用 QFN-16 封装。DG409LEDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 SOIC-16 封装。DG412DQ-T1-E3
Vishay / Siliconix
该型号为集成电路。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。