ADGS5414BCPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 9～40 V、双电源电压 +/- 9 V to +/- 22 V、最大双电源电压 +/- 22 V、最小双电源电压 +/- 9 V、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 9 V，采用 LFCSP-24 封装。模拟与信号链
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型号列表
65,377 条型号记录DG2012EDL-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SC-70-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、开关数 1 Switch、配置 1 x SPDT、导通电阻（最大值） 2 Ω、开关电压（最大值） 6 V，采用 SC-70-6 封装。DG612EEN-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3 V, 5 V、最大双电源电压 5 V、最小双电源电压 - 5 V、电源电压（最大值） 5 V、供电类型 Dual Supply、开关数 4 Switch，采用 QFN-16 封装。DG613EEN-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3 V, 5 V、最大双电源电压 5 V、最小双电源电压 - 5 V、电源电压（最大值） 5 V、供电类型 Dual Supply、开关数 4 Switch，采用 QFN-16 封装。DG419LEDY-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 SOIC-8 封装。TMUX136MRSER
Texas Instruments · 封装：UQFN-10
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～4.8 V、电源电压（最大值） 4.8 V、电源电压（最小值） 2.3 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT，采用 UQFN-10 封装。TMUX154EDGSR
Texas Instruments · 封装：MSOP-10
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 4.3 V、电源电压（最小值） 3 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT，采用 MSOP-10 封装。MAX14866UTM+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.7 V、供电类型 Single Supply、开关数 16 Switch、配置 16 x SPST，采用 TQFN-48 封装。DG419LEDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 MSOP-8 封装。SN74LVC1G3157DTBR
Texas Instruments · 封装：X2SON-6
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPDT，采用 X2SON-6 封装。TS5A22364QDGSRQ1
Texas Instruments · 封装：MSOP-10
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.3 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT，采用 MSOP-10 封装。DG212BDQ-E3
Vishay / Siliconix · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4.5～25 V、双电源电压 +/- 4.5 V to +/- 22 V、最大双电源电压 +/- 22 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压（最大值） 25 V、电源电压（最小值） 4.5 V，采用 TSSOP-16 封装。74LVC2G3157DP-Q10J
Nexperia · 封装：TSSOP-10
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPST，采用 TSSOP-10 封装。DG408LEDY-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 SOIC-16 封装。DG441LEDY-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 SOIC-16 封装。DG1413EEQ-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4.5～24 V、双电源电压 4.5～15 V、最大双电源电压 15 V、最小双电源电压 4.5 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 4.5 V，采用 TSSOP-16 封装。DG2517EDN-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：DFN-10
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.7 V、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT、导通电阻（最大值） 1.5 Ω，采用 DFN-10 封装。DG4053EEQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 TSSOP-16 封装。DG1413EEN-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4.5～24 V、双电源电压 +/- 4.5 V to +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 4.5 V，采用 QFN-16 封装。DG1411EEQ-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4.5～24 V、双电源电压 4.5～15 V、最大双电源电压 15 V、最小双电源电压 4.5 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 4.5 V，采用 TSSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。