TMUX1209PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.08～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.08 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x 4PST，采用 TSSOP-16 封装。模拟与信号链
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
65,377 条型号记录DGQ2788AEN-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、供电类型 Single Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPDT、导通电阻（最大值） 650 mOhms，采用 QFN-16 封装。DG612EEQ-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3 V, 5 V、最大双电源电压 5 V、最小双电源电压 - 5 V、电源电压（最大值） 5 V、供电类型 Dual Supply、开关数 4 Switch，采用 TSSOP-16 封装。DG418LEDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 MSOP-8 封装。DG612EEY-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3 V, 5 V、最大双电源电压 5 V、最小双电源电压 - 5 V、电源电压（最大值） 5 V、供电类型 Dual Supply、开关数 4 Switch，采用 SOIC-16 封装。DG9421EDV-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：TSOP-6
该型号为集成电路，主要参数包括最大双电源电压 5 V、最小双电源电压 - 5 V、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 3 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply、开关数 1 Switch，采用 TSOP-6 封装。DG417LEDY-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 SOIC-8 封装。DG1411EEN-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4.5～24 V、双电源电压 4.5～15 V、最大双电源电压 15 V、最小双电源电压 4.5 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 4.5 V，采用 QFN-16 封装。DG9424EDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 TSSOP-16 封装。DG418LEDY-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 SOIC-8 封装。MAX20327EWL+
Maxim Integrated · 封装：WLP-9
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.6～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.6 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x DPDT，采用 WLP-9 封装。DG2002EDL-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SC-70-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、开关数 1 Switch、配置 1 x SPDT、导通电阻（最大值） 8 Ω、开关电压（最大值） 6 V，采用 SC-70-6 封装。DG417LEDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 MSOP-8 封装。TMUX154ERSWR
Texas Instruments · 封装：UQFN-10
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 4.3 V、电源电压（最小值） 3 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT，采用 UQFN-10 封装。TMUX1072RUTR
Texas Instruments · 封装：UQFN-12
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.3 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x DPST，采用 UQFN-12 封装。TMUX136RSER
Texas Instruments · 封装：UQFN-10
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～4.8 V、电源电压（最大值） 4.8 V、电源电压（最小值） 2.3 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT，采用 UQFN-10 封装。TMUX1072DGSR
Texas Instruments · 封装：MSOP-10
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.3 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x DPST，采用 MSOP-10 封装。DG611EEY-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：SOIC-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3 V, 5 V、最大双电源电压 5 V、最小双电源电压 - 5 V、电源电压（最大值） 5 V、供电类型 Dual Supply、开关数 4 Switch，采用 SOIC-16 封装。DG611EEN-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3 V, 5 V、最大双电源电压 5 V、最小双电源电压 - 5 V、电源电压（最大值） 5 V、供电类型 Dual Supply、开关数 4 Switch，采用 QFN-16 封装。MAX4623CSE+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4.5～36 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 20 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V，采用 SOIC-Narrow-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。