AMC22C11DR
Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出类型 Open Drain、比较器类型 Isolated Comparator、输入偏置电流(Ib) 25 nA,采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出类型 Open Drain、比较器类型 Isolated Comparator、输入偏置电流(Ib) 25 nA,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 25 V、输出类型 Open Drain、比较器类型 General Purpose、工作电源电流 3.7 mA,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出类型 Open Drain、比较器类型 Isolated Comparator、输入偏置电流(Ib) 25 nA,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出类型 Open Drain、比较器类型 Isolated Comparator、输入偏置电流(Ib) 25 nA,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 27 V、输出类型 Open Drain、比较器类型 General Purpose、工作电源电流 10 mA,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 27 V、输出类型 Open Drain、比较器类型 General Purpose、工作电源电流 10 mA,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 25 V、输出类型 Push-Pull、比较器类型 Isolated Comparator、输入类型 Analog,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 27 V、输出类型 Open Drain、比较器类型 General Purpose、工作电源电流 3.7 mA,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 27 V、输出类型 Open Drain、比较器类型 General Purpose、工作电源电流 4.3 mA,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 27 V、输出类型 Open Drain、比较器类型 General Purpose、工作电源电流 4.3 mA,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 27 V、输出类型 Open Drain、比较器类型 General Purpose、工作电源电流 4.3 mA,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 27 V、每通道输出电流 4 mA、输出类型 Open Drain、比较器类型 Window,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 27 V、每通道输出电流 4 mA、输出类型 Open Drain、比较器类型 Window,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 27 V、输出类型 Open Drain、比较器类型 Isolated Comparator、输入类型 Analog,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 25 V、输出类型 Open Drain、比较器类型 Isolated Comparator、输入类型 Analog,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:Die
该型号为比较器,主要参数包括输出类型 Rail-to-Rail、输入失调电压(Vos) 3 mV、输入偏置电流(Ib) 100 nA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、产品 Analog Comparators,采用 Die 封装。DIOO Microcircuits · 封装:SOT-23-5
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 1.4 V、电源电压(最大值) 5.5 V、每通道输出电流 24.3 mA、输出类型 Open Drain、输入类型 CMOS,采用 SOT-23-5 封装。DIOO Microcircuits · 封装:MSOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 1.4 V、电源电压(最大值) 5.5 V、每通道输出电流 25 mA、输出类型 Push-Pull、输入类型 CMOS,采用 MSOP-8 封装。DIOO Microcircuits · 封装:DFN-4
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 1.4 V、电源电压(最大值) 5.5 V、每通道输出电流 23 mA、输出类型 Push-Pull、工作电源电流 300 nA,采用 DFN-4 封装。DIOO Microcircuits · 封装:MSOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、每通道输出电流 33.5 mA、输出类型 Open Drain、输入类型 CMOS,采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。