TLV3012AIDBVTG4
Texas Instruments · 封装:SOT-23-6
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、比较器类型 General Purpose、输出类型 Push-Pull,采用 SOT-23-6 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:SOT-23-6
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、比较器类型 General Purpose、输出类型 Push-Pull,采用 SOT-23-6 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-16
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.4 V、电源电压(最小值) 3.1 V、工作电源电压 3.3 V, 5.2 V、技术 Bipolar、比较器类型 General Purpose with Latch,采用 LFCSP-16 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:QSOP-16
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、每通道输出电流 8 mA、技术 SiGe、比较器类型 General Purpose with Latch、输出类型 CML、输入偏置电流(Ib) 15 uA,采用 QSOP-16 封装。Diodes Incorporated · 封装:$0.315
该型号为比较器,主要参数包括产品 Analog Comparators,采用 $0.315 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-12
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 3 V, 5 V、比较器类型 General Purpose with Latch、输出类型 CMOS, TTL,采用 LFCSP-12 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-16
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.4 V、电源电压(最小值) 3.1 V、工作电源电压 3.3 V, 5.2 V、技术 Bipolar、比较器类型 General Purpose with Latch,采用 LFCSP-16 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 2 V、最小双电源电压 1 V、工作电源电压 2~30 V、每通道输出电流 6 mA,采用 TSSOP-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOT-23-5
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 8 V、电源电压(最小值) 2 V、工作电源电压 3 V, 5 V、技术 CMOS、比较器类型 General Purpose,采用 SOT-23-5 封装。NJR · 封装:DMP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 +/- 2.5 V,采用 DMP-8 封装。NJR · 封装:SSOP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 2.5 V,采用 SSOP-14 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 15 V、电源电压(最小值) 2.7 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 7.5 V、最小双电源电压 +/- 1.35 V,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 15 V、电源电压(最小值) 2.7 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 7.5 V、最小双电源电压 +/- 1.35 V,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SC70-5
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、工作电源电压 3 V, 5 V、技术 BiCMOS、比较器类型 General Purpose,采用 SC70-5 封装。Maxim Integrated · 封装:PDIP-8
该型号为比较器,主要参数包括电源电压(最大值) 11 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~11 V、比较器类型 Window、输出类型 Open Drain、输入失调电压(Vos) 10 mV,采用 PDIP-8 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 16 V、最小双电源电压 1 V,采用 TSSOP-14 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 15 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V, 5 V, 9 V, 12 V、技术 CMOS、比较器类型 General Purpose,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V、技术 Bipolar、比较器类型 General Purpose,采用 TSSOP-14 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 15 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V, 5 V, 9 V, 12 V、技术 CMOS、比较器类型 General Purpose,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 15 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V, 5 V, 9 V, 12 V、技术 CMOS、比较器类型 General Purpose,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:VSSOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V、技术 CMOS、比较器类型 Precision,采用 VSSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。