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164 条型号记录

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FF3MR12KM1HHPSA1

Infineon Technologies

主要参数包括技术碳化硅（SiC）、类型 Half Bridge、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 190 A、漏源导通电阻（Rds On） 4.44 mOhms、栅源电压（Vgs） - 7 V, + 20 V, - 10 V, + 23 V。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules

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FF3MR12KM1HPHPSA1

Infineon Technologies

主要参数包括技术碳化硅（SiC）、类型 Half Bridge、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 220 A、漏源导通电阻（Rds On） 4.44 mOhms、栅源电压（Vgs） - 7 V, + 20 V, - 10 V, + 23 V。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules

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FF3MR12KM1HSHPSA1

Infineon Technologies

主要参数包括技术碳化硅（SiC）、类型 MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 200 A、漏源导通电阻（Rds On） 6.3 mOhms、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules

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FF3MR20KM1HHPSA1

Infineon Technologies

该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、原产国家或地区 AT、型号别名 FF3MR20KM1H SP005593423。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor Modules

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FF3MR20KM1HPHPSA1

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、晶体管极性 N-Channel、配置 Dual、原产国家或地区 AT、型号别名 FF3MR20KM1HP SP005727403。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules

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FF3MR20KM1HSHPSA1

Infineon Technologies

该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、商品名称 CoolSiC、型号别名 FF3MR20KM1H_S SP005727408。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor Modules

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FF3MR20W3M1HH11BPSA1

Infineon Technologies

该型号为半导体器件，主要参数包括技术碳化硅（SiC）、产品 EasyPACK Modules、正向电压（Vf） 4.4 V、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 175 C。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor Modules

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FF4MR12W2M1HB11BPSA1

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、类型 MOSFET Power Module、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 170 A、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V、栅源阈值电压（Vgs th） 5.15 V。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules

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FF4MR12W2M1HB70BPSA1

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 170 A、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V、栅源阈值电压（Vgs th） 5.15 V。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules

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FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 2 个通道、技术碳化硅（SiC）、类型 CoolSiC Trench MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 200 A。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules

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