Infineon Technologies
FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 碳化硅（SiC）、类型 CoolSiC Trench MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 200 A。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 产品系列
- CoolSiC
- 安装方式
- Press Fit
- 包装方式
- 托盘
技术参数
24 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 2 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 200 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 6 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 23 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5.15 V
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 20 mW
- 配置
- Dual
- 组装国家或地区
- 德国
展开更多参数（12 项）
- 原产国家或地区
- AT
- 下降时间
- 11 ns
- 高度
- 12 mm
- 长度
- 62.8 mm
- 产品
- MOSFET Module
- 上升时间
- 47 ns
- 类型
- CoolSiC Trench MOSFET
- 典型关断延迟时间
- 47 ns
- 典型导通延迟时间
- 33 ns
- 正向电压（Vf）
- 4.2 V
- 宽度
- 56.7 mm
- 型号别名
- FF4MR12W2M1HP_B11_A SP006049697
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。