Infineon Technologies
FF4MR12W2M1HB70BPSA1
主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 170 A、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V、栅源阈值电压（Vgs th） 5.15 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 产品系列
- M1H
- 包装方式
- 托盘
技术参数
12 项参数- 技术
- Si
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 170 A
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 23 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5.15 V
- 配置
- Dual
- 组装国家或地区
- 德国
- 晶圆制造国家或地区
- AT
- 原产国家或地区
- AT
- 商品名称
- EasyDUAL CoolSiC
- 类型
- Half Bridge
- 型号别名
- FF4MR12W2M1H_B70 SP005749125
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。