Infineon Technologies
FF3MR12KM1HHPSA1
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Half Bridge、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 190 A、漏源导通电阻（Rds On） 4.44 mOhms、栅源电压（Vgs） - 7 V, + 20 V, - 10 V, + 23 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 产品系列
- CoolSiC
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 托盘
技术参数
12 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 190 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 4.44 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 7 V, + 20 V, - 10 V, + 23 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5.1 V
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 配置
- Half-Bridge
- 原产国家或地区
- AT
- 商品名称
- 62 mm C-Series
- 类型
- Half Bridge
- 正向电压（Vf）
- 4.22 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。