FF17MR12W1M1HPB11BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyDUAL CoolSiC、型号别名 FF17MR12W1M1HP_B11 SP005634518。
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FF1MR12KM1HHPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、组装国家或地区 HU、晶圆制造国家或地区 AT、原产国家或地区 AT、商品名称 CoolSiC。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFF1MR12KM1HPHPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、原产国家或地区 AT、商品名称 CoolSiC、型号别名 FF1MR12KM1HP SP005861515。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFF1MR12KM1HSHPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Module、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 395 A、漏源导通电阻（Rds On） 3.2 mOhms、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesFF1MR12MM1HB11BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 碳化硅（SiC）、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 420 A、漏源导通电阻（Rds On） 1.91 mOhms、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesFF2MR12KM1HHPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Half Bridge、产品 CoolSiC Trench MOSFET、栅源电压（Vgs） - 10 V, 23 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 175 C。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFF2MR12KM1HPHPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 AT、商品名称 CoolSiC、型号别名 FF2MR12KM1HP SP005861616。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFF2MR12W3M1HB11BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 175 C、耗散功率（Pd） 20 mW、组装国家或地区 德国。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesFF33MR12W1M1HB11BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyDUAL CoolSiC、型号别名 FF33MR12W1M1H_B11 SP005634429。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFF33MR12W1M1HPB11BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、组装国家或地区 德国、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyDUAL CoolSiC、型号别名 FF33MR12W1M1HP_B11 SP005634523。
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