Infineon Technologies
FF1MR12KM1HSHPSA1
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Module、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 395 A、漏源导通电阻（Rds On） 3.2 mOhms、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 托盘
技术参数
21 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 395 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 3.2 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 23 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4.3 V
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 组装国家或地区
- HU
- 晶圆制造国家或地区
- AT
- 原产国家或地区
- AT
- 下降时间
- 75 ns
- 高度
- 30.5 mm
展开更多参数（9 项）
- 正向电流（If）
- 180 A
- 长度
- 106.4 mm
- 产品
- MOSFET Module
- 上升时间
- 268 ns
- 类型
- Module
- 典型关断延迟时间
- 239 ns
- 典型导通延迟时间
- 244 ns
- 正向电压（Vf）
- 4.22 V
- 宽度
- 61.4 mm
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。