Infineon Technologies
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 175 C、耗散功率（Pd） 20 mW、组装国家或地区 德国。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 产品系列
- M1H
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 20 mW
- 组装国家或地区
- 德国
- 原产国家或地区
- AT
- 下降时间
- 32.2 ns
- 上升时间
- 137 ns
- 商品名称
- EasyDUAL CoolSiC
- 类型
- Half Bridge
- 典型关断延迟时间
- 136 ns
- 典型导通延迟时间
- 108 ns
- 正向电压（Vf）
- 3.98 V
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- 型号别名
- FF2MR12W3M1H_B11 SP005551090
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。