Infineon Technologies
FF2MR12KM1HHPSA1
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Half Bridge、产品 CoolSiC Trench MOSFET、栅源电压（Vgs） - 10 V, 23 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 175 C。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 半导体器件
- 产品系列
- M1H
- 安装方式
- Stud Mount
- 包装方式
- 托盘
技术参数
19 项参数- 产品
- CoolSiC Trench MOSFET
- 类型
- Half Bridge
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, 23 V
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 配置
- Dual
- 组装国家或地区
- HU
- 晶圆制造国家或地区
- AT
- 原产国家或地区
- AT
- 下降时间
- 33 ns
- 连续漏极电流（Id）
- 290 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 1.96 mOhms
展开更多参数（7 项）
- 上升时间
- 153 ns
- 商品名称
- CoolSiC
- 典型关断延迟时间
- 150 ns
- 典型导通延迟时间
- 143 ns
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 3.45 V
- 型号别名
- FF2MR12KM1H SP005861524
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。