QPD1025
Qorvo
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～1.1 GHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 28 A，采用 NI-1230-4 封装。
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QPD1025L
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1～1.1 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 22.9 dB、连续漏极电流（Id） 28 A、输出功率 1.5 kW，采用 NI-1230-4 封装。
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