M50C
MACOM
RF Mixer
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APTSM120HM50CT3AG
Microchip / Microsemi
该型号为半导体器件，主要参数包括类型 Full Bridge、产品 Power MOSFET Modules、正向电压（Vf） 1.5 V、栅源电压（Vgs） - 10 V, 25 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SP3F-32 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesMSCSM120AM50CT1AG
Microchip Technology
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 MOSFET / SiC SBD、产品 MOSFET-SiC SBD Modules、正向电压（Vf） 1.5 V、反向电压（Vr） 1.2 kV、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 25 V，采用 SP1F 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesMSCSM120HM50CT3AG
Microchip Technology
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Full Bridge、产品 MOSFET-SiC SBD Modules、正向电压（Vf） 1.5 V、反向电压（Vr） 1.2 kV、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 25 V，采用 SP3F 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesMSCSM120TLM50C3AG
Microchip Technology
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 MOSFET / SiC SBD、产品 MOSFET-SiC SBD Modules。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesMSCSM120XM50CTYZBNMG
Microchip Technology
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 3-Phase Bridge、产品 MOSFET-SiC SBD Modules、正向电压（Vf） 1.5 V、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V、最小工作温度 - 55 C，采用 108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesPM50CG1A065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 6-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.25 V、25°C 时连续集电极电流 50 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50CG1A120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 6-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.3 V、25°C 时连续集电极电流 50 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50CG1AP065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50CG1AP120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT Modules