Microchip / Microsemi
APTSM120HM50CT3AG
该型号为半导体器件，主要参数包括类型 Full Bridge、产品 Power MOSFET Modules、正向电压（Vf） 1.5 V、栅源电压（Vgs） - 10 V, 25 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SP3F-32 封装。
基本资料
- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip / Microsemi
- 产品类别
- 半导体器件
- 封装
- SP3F-32
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 散装
技术参数
16 项参数- 产品
- Power MOSFET Modules
- 类型
- Full Bridge
- 正向电压（Vf）
- 1.5 V
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, 25 V
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 配置
- Quad
- 下降时间
- 30 ns
- 连续漏极电流（Id）
- 74 A
- 耗散功率（Pd）
- 470 W
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 40 mOhms
- 上升时间
- 10 ns
- 典型关断延迟时间
- 45 ns
展开更多参数（4 项）
- 典型导通延迟时间
- 10 ns
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1200 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.7 V
- 单件重量
- 3.880136 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。