Microchip Technology
MSCSM120AM50CT1AG
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 MOSFET / SiC SBD、产品 MOSFET-SiC SBD Modules、正向电压（Vf） 1.5 V、反向电压（Vr） 1.2 kV、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 25 V，采用 SP1F 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- 半导体器件
- 封装
- SP1F
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 散装
技术参数
18 项参数- 产品
- MOSFET-SiC SBD Modules
- 类型
- MOSFET / SiC SBD
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 正向电压（Vf）
- 1.5 V
- 反向电压（Vr）
- 1.2 kV
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 25 V
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 下降时间
- 25 ns
- 连续漏极电流（Id）
- 55 A
- 耗散功率（Pd）
- 245 W
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 50 mOhms
展开更多参数（6 项）
- 上升时间
- 30 ns
- 晶体管极性
- N-Channel
- 典型关断延迟时间
- 50 ns
- 典型导通延迟时间
- 30 ns
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.8 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。