M2T
MACOM
采用 TO-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
M2TC
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerM2TP80M12W2-2LA
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 6 个通道、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 30 A、漏源导通电阻（Rds On） 114 mOhms、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 22 V、栅源阈值电压（Vgs th） 5 V。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesAUIRF7648M2TR
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 68 A，采用 DirectFET-M4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAUIRF7675M2TR
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V、连续漏极电流（Id） 18 A，采用 DirectFET-M2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAUIRF7734M2TR
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 72 A，采用 DirectFET-M2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAUIRF7736M2TR
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 108 A，采用 DirectFET-M2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAUIRF8736M2TR
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 137 A、漏源导通电阻（Rds On） 1.3 mOhms、栅极电荷（Qg） 17 nC，采用 DirectFET-M4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAUIRL7736M2TR
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 112 A，采用 DirectFET-M4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAUIRL7766M2TR
Infineon / IR
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 51 A，采用 DirectFET-M4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET