STMicroelectronics
M2TP80M12W2-2LA
主要参数包括通道数 6 个通道、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 30 A、漏源导通电阻（Rds On） 114 mOhms、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 22 V、栅源阈值电压（Vgs th） 5 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 安装方式
- Press Fit
- 包装方式
- 管装
技术参数
15 项参数- 通道数
- 6 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 30 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 114 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 22 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5 V
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 原产国家或地区
- 中国
- 高度
- 5.7 mm
- 长度
- 44 mm
- 产品
- Power Modules
- 认证等级
- AQG 324
展开更多参数（3 项）
- 正向电压（Vf）
- 1.1 V
- 宽度
- 27.4 mm
- 单件重量
- 0.458562 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。