Infineon / IR
AUIRL7766M2TR
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 51 A，采用 DirectFET-M4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon / IR
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- DirectFET-M4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 100 V
- 连续漏极电流（Id）
- 51 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 8 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- 16 V
- 栅极电荷（Qg）
- 44 nC
- 耗散功率（Pd）
- 62.5 W
- 配置
- Single
- 认证等级
- AEC-Q101
- 高度
- 15.65 mm
展开更多参数（5 项）
- 长度
- 10 mm
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 宽度
- 4.4 mm
- 型号别名
- SP001516036
- 单件重量
- 0.211644 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。