J112
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源电压为零时的漏源电流 5 mA，采用 TO-92 封装。
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J112
InterFET
主要参数包括技术 Si、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源电压为零时的漏源电流 5 mA，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETJ112
onsemi
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源截止电压 - 5 V、栅源电压为零时的漏源电流 5 mA，采用 TO-92 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsJ112-D26Z
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源电压为零时的漏源电流 5 mA、漏源导通电阻（Rds On） 50 Ω，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETJ112-D26Z
onsemi
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源截止电压 - 5 V、栅源电压为零时的漏源电流 5 mA，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsJ112-D27Z
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源电压为零时的漏源电流 5 mA、漏源导通电阻（Rds On） 50 Ω，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETJ112-D27Z
onsemi
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源截止电压 - 5 V、栅源电压为零时的漏源电流 5 mA，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsJ112-D74Z
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源电压为零时的漏源电流 5 mA、漏源导通电阻（Rds On） 50 Ω，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETJ112-D74Z
onsemi
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源截止电压 - 5 V、栅源电压为零时的漏源电流 5 mA，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsJ112A
InterFET
主要参数包括技术 Si。
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