InterFET
J112
主要参数包括技术 Si、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源电压为零时的漏源电流 5 mA，采用 TO-92-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- InterFET
- 产品类别
- JFET
- 封装
- TO-92-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 配置
- Single
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 35 V
- 栅源电压为零时的漏源电流
- 5 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 50 Ω
- 耗散功率（Pd）
- 360 mW
- 类型
- JFET
- 栅源截止电压
- - 5 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。