onsemi
J112-D26Z
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源截止电压 - 5 V、栅源电压为零时的漏源电流 5 mA，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- JFETs
- 产品系列
- J112
- 封装
- TO-92-3 Kinked Lead
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
11 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 配置
- Single
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 35 V
- 栅源截止电压
- - 5 V
- 栅源电压为零时的漏源电流
- 5 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 50 Ω
- 耗散功率（Pd）
- 625 mW
- 原产国家或地区
- 中国
- 型号别名
- J112_D26Z
- 单件重量
- 0.007090 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。