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2 条型号记录

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ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 80 mV，采用 SC-74R-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1.54 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100 at 50 mA, 5 V、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、连续集电极电流 600 mA，采用 SC-74-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital Transistors