onsemi
IMH20TR1G
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1.54 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100 at 50 mA, 5 V、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、连续集电极电流 600 mA，采用 SC-74-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- IMH20TR1
- 封装
- SC-74-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
12 项参数- 配置
- Dual
- 晶体管极性
- NPN
- 典型输入电阻
- 1.54 kOhms
- 最小直流电流增益（hfe）
- 100 at 50 mA, 5 V
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 15 V
- 连续集电极电流
- 600 mA
- 耗散功率（Pd）
- 300 mW
- 最大工作温度
- + 150 C
- 通道模式
- Enhancement
- 原产国家或地区
- 中国
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 单件重量
- 0.000529 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。