ON Semiconductor
IMH20TR1G
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 80 mV，采用 SC-74R-6 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- IMH20TR1
- 封装
- SC-74R-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 15 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 30 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 80 mV
- 最大直流电流增益（hFE）
- 100 at 50 mA, 5 V
- 高度
- 1 mm
- 长度
- 3.1 mm
- 宽度
- 1.7 mm
- 连续集电极电流
- 0.6 A
- 耗散功率（Pd）
- 300 mW
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.000529 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。