BCP69T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。
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BCP69T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVBCP69T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 60 MHz、配置 Single Dual Collector、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、连续集电极电流 1 A，采用 TO-261-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedNSVBCP69T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、最小工作温度 - 65 C，采用 TO-261-4 封装。
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