onsemi
NSVBCP69T1G
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、最小工作温度 - 65 C，采用 TO-261-4 封装。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BCP69
- 封装
- TO-261-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 20 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 25 V
- 耗散功率（Pd）
- 1.5 W
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 认证等级
- AEC-Q100
- 连续集电极电流
- 1 A
- 组装国家或地区
- 马来西亚
- 晶圆制造国家或地区
- 马来西亚
- 原产国家或地区
- 马来西亚
- 最小直流电流增益（hfe）
- 50
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- 单件重量
- 0.010582 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。