APTC60HM35T3G
Microchip / Microsemi
该型号为半导体器件，主要参数包括通道数 1 个通道、产品 Power MOSFET Modules、栅源电压（Vgs） 20 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SP-32 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
APTC60HM35T3G
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 Half-Bridge Module、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 72 A，采用 SP-32 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules