Microchip / Microsemi
APTC60HM35T3G
该型号为半导体器件，主要参数包括通道数 1 个通道、产品 Power MOSFET Modules、栅源电压（Vgs） 20 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SP-32 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip / Microsemi
- 产品类别
- 半导体器件
- 封装
- SP-32
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
18 项参数- 产品
- Power MOSFET Modules
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 配置
- Single
- 高度
- 11.5 mm
- 长度
- 73.4 mm
- 宽度
- 40.8 mm
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 下降时间
- 84 ns
- 连续漏极电流（Id）
- 72 A
- 耗散功率（Pd）
- 416 W
展开更多参数（6 项）
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 35 mOhms
- 上升时间
- 30 ns
- 典型关断延迟时间
- 283 ns
- 典型导通延迟时间
- 21 ns
- 漏源击穿电压（Vds）
- 600 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.1 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。