Microchip Technology
APTC60HM35T3G
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 Half-Bridge Module、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 72 A，采用 SP-32 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 封装
- SP-32
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 管装
技术参数
20 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 600 V
- 连续漏极电流（Id）
- 72 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 35 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 30 V, + 30 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.1 V
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 416 W
- 配置
- Single
- 原产国家或地区
- 菲律宾
展开更多参数（8 项）
- 下降时间
- 84 ns
- 高度
- 11.5 mm
- 长度
- 73.4 mm
- 上升时间
- 30 ns
- 类型
- Half-Bridge Module
- 典型关断延迟时间
- 283 ns
- 典型导通延迟时间
- 21 ns
- 宽度
- 40.8 mm
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。