FS13MR12W2M1HC55BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、组装国家或地区 德国、原产国家或地区 AT、型号别名 FS13MR12W2M1H_C55 SP005879018。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 AT、型号别名 FS13MR12W2M1HP_B11 SP005562247。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 40 A、栅源电压（Vgs） - 10 V, 23 V、栅源阈值电压（Vgs th） 5.15 V。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesFS28MR12W1M1HB11HPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、组装国家或地区 德国、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyPACK CoolSiC、型号别名 FS28MR12W1M1H_B11 SP005634666。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFS28MR12W1M1HB70BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、型号别名 FS28MR12W1M1H_B70 -。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFS33MR12W1M1HB11BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyPACK CoolSiC、型号别名 FS33MR12W1M1H_B11 SP005634434。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFS33MR12W1M1HB70BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 25 A、漏源导通电阻（Rds On） 32.3 mOhms、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V、栅源阈值电压（Vgs th） 4.3 V，采用 Easy1B 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesFS33MR12W1M1HPB11BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、型号别名 FS33MR12W1M1HP_B11 SP005634693。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFS55MR12W1M1HB11NPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 175 C、配置 6-Pack、原产国家或地区 AT、产品 SiC IGBT Modules。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesIMBG120R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 56 A、漏源导通电阻（Rds On） 41 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs