Infineon Technologies
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 40 A、栅源电压（Vgs） - 10 V, 23 V、栅源阈值电压（Vgs th） 5.15 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 产品系列
- EasyPACK 2B
- 安装方式
- Press Fit
- 包装方式
- 托盘
技术参数
22 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 40 A
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, 23 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5.15 V
- 耗散功率（Pd）
- 20 mW
- 配置
- Hex
- 组装国家或地区
- 德国
- 原产国家或地区
- AT
- 下降时间
- 12 ns
- 高度
- 1.4 mm
展开更多参数（10 项）
- 正向电流（If）
- 16 A
- 长度
- 56.7 mm
- 产品
- MOSFET Modules
- 上升时间
- 29 ns
- 商品名称
- CoolSiC
- 典型关断延迟时间
- 39 ns
- 典型导通延迟时间
- 32 ns
- 正向电压（Vf）
- 4.2 V
- 宽度
- 48 mm
- 型号别名
- FS17MR12W2M1H_B11_A SP005958141
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。