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Analog Devices Inc.
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Renesas Electronics Corporation
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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onsemi
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onsemi
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Texas Instruments
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Texas Instruments
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
CPU Xeon Silver 4114T 2.2GHz LGA3647
ADLINK Technology
CPU - Central Processing Units CPU, Xeon Silver 4114T, 2.20GHz, 10-Core, 13.75MB Cache, Skylake, CD8067303645300 SR3MM, Step:U0, MM# 959707
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsEDFA364A3PM-GD-F-D
Micron
主要参数包括存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 85 C，采用 FBGA-216 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMFCA36N60NF
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 34.9 A，采用 TO-3PN-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFQA36P15
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 TO-3PN-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETGTRA360502M-V1-R3K
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、原产国家或地区 马来西亚。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管GTRA362002FC-V1-R0
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 3.6 GHz、最小工作频率 3.4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37248C-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管GTRA362002FC-V1-R2
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 3.6 GHz、最小工作频率 3.4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 H-37248C-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管GTRA362802FC-V1-R0
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 3.6 GHz、最小工作频率 3.4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 H-37248C-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管GTRA362802FC-V1-R2
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 3.6 GHz、最小工作频率 3.4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 H-37248C-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管GTRA364002FC-V1-R0
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 3.6 GHz、最小工作频率 3.4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 H-37248C-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管