ChipSourceHub 美芯科技

MACOM

GTRA362802FC-V1-R2

该型号为氮化镓场效应晶体管,主要参数包括最大工作频率 3.6 GHz、最小工作频率 3.4 GHz、技术 氮化镓(GaN)、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 125 V,采用 H-37248C-4 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
MACOM
产品类别
氮化镓场效应晶体管
封装
H-37248C-4
安装方式
Screw Mount
包装方式
卷盘

技术参数

12 项参数
晶体管极性
N-Channel
漏源击穿电压(Vds)
125 V
连续漏极电流(Id)
5.4 A
最大工作温度
+ 225 C
原产国家或地区
美国
增益
13.5 dB
最大工作频率
3.6 GHz
最小工作频率
3.4 GHz
输出功率
280 W
技术
氮化镓(GaN)
晶体管类型
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)
栅源击穿电压(Vgs)
- 10 V to 2 V

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

GTRA362802FC-V1-R2 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技