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MACOM

GTRA360502M-V1-R3K

该型号为氮化镓场效应晶体管,主要参数包括技术 氮化镓(GaN)、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)、原产国家或地区 马来西亚。

基本资料

品牌 / 制造商
MACOM
产品类别
氮化镓场效应晶体管
包装方式
卷盘

技术参数

3 项参数
原产国家或地区
马来西亚
技术
氮化镓(GaN)
晶体管类型
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

GTRA360502M-V1-R3K 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技