原型号
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Analog Devices Inc.
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原型号
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Analog Devices Inc.
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原型号
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Analog Devices Inc.
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Renesas Electronics Corporation
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原型号
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Renesas Electronics Corporation
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原型号
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Renesas Electronics Corporation
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原型号
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Texas Instruments
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原型号
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Microchip Technology
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原型号
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Texas Instruments
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IXTA260N055T2
IXYS
主要参数包括商品名称 TrenchT2，采用 Buy Min.: 1Mult.: 1 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA260N055T2-7
IXYS
主要参数包括技术 Si、类型 TrenchT2 Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 55 V、连续漏极电流（Id） 260 A、漏源导通电阻（Rds On） 3.3 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA26P10T
IXYS
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 26 A、漏源导通电阻（Rds On） 90 mOhms、单件重量 0.056438 oz，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA26P20P
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 200 V、连续漏极电流（Id） 26 A，采用 TO-263AA-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA26P20P-TRL
IXYS
主要参数包括商品名称 PolarP。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETLP3470A263DBVR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 10 V、电源电压（最小值） 950 mV、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active Low, Open Drain、阈值电压 2.63 V、监控输入数 1 Input，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsMAX16039LLA26+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 0 V、类型 Voltage Supervisory、监控输入数 1 Input、手动复位 No Manual Reset、看门狗定时器 No Watchdog，采用 UDFN-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsMAX16039LLA26+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 0 V、类型 Voltage Supervisory、监控输入数 1 Input、手动复位 No Manual Reset、看门狗定时器 No Watchdog，采用 UDFN-8 封装。
半导体 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsMAX16056ATA26+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括原产国家或地区 TH，采用 TDFN-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsMAX16056ATA26+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.1 V、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Push-Pull、监控输入数 1 Input、手动复位 Manual Reset，采用 TDFN-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits