IXYS
IXTA26P10T
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 26 A、漏源导通电阻（Rds On） 90 mOhms、单件重量 0.056438 oz，采用 TO-263-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- IXTA26P10
- 封装
- TO-263-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 管装
技术参数
6 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 100 V
- 连续漏极电流（Id）
- 26 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 90 mOhms
- 单件重量
- 0.056438 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。