IXYS
IXTA260N055T2-7
主要参数包括技术 Si、类型 TrenchT2 Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 55 V、连续漏极电流（Id） 260 A、漏源导通电阻（Rds On） 3.3 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- IXTA260N055
- 封装
- TO-263-7
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
22 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 55 V
- 连续漏极电流（Id）
- 260 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 3.3 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4 V
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 栅极电荷（Qg）
- 140 nC
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 480 W
- 通道模式
- Enhancement
- 商品名称
- HiPerFET
展开更多参数（10 项）
- 高度
- 4.7 mm
- 长度
- 9.4 mm
- 类型
- TrenchT2 Power MOSFET
- 宽度
- 10.2 mm
- 正向跨导（最小值）
- 55 S
- 下降时间
- 24 ns
- 上升时间
- 27 ns
- 典型关断延迟时间
- 36 ns
- 典型导通延迟时间
- 20 ns
- 单件重量
- 0.056438 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。