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原厂资料

2 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
2DD2656-7Diodes Incorporated
  • DSS4140U-7
2023-02-22查看资料
DNLS160V-7Diodes Incorporated
  • DSS4160V-7
2021-03-15查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

423 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

1SS413CT,L3F

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、单件重量 0.000025 oz。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1SS416,L3M

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 100 mA、重复反向电压（Vrrm） 35 V、正向电压（Vf） 0.38 V、正向浪涌电流（Ifsm） 1 A，采用 SOD-923 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1SS416CT,L3F

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 100 mA、重复反向电压（Vrrm） 35 V、正向电压（Vf） 0.38 V、正向浪涌电流（Ifsm） 1 A，采用 CST-2 封装。

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1SS417(TL3,T)

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 125 C、技术 Si、类型 Silicon Epitaxial Schottky Barrier、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 100 mA、重复反向电压（Vrrm） 45 V，采用 fSC-2 封装。

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1SS417,L3M

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 100 mA、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 0.56 V、正向浪涌电流（Ifsm） 1 A，采用 SOD-923 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1SS417CT(TPL3)

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 100 C、技术 Si、类型 Silicon Epitaxial Schottky Barrier、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 45 V，采用 CST-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1SS417CT,L3F

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 1 mA、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 0.28 V、正向浪涌电流（Ifsm） 1 A，采用 CST-2 封装。

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1SS420TPL3F

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 100 C、技术 Si、类型 Silicon Epitaxial Schottky Barrier、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 300 mA、重复反向电压（Vrrm） 35 V，采用 SOD-523-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1SS421(TL3,F,T)

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 100 C、技术 Si、类型 Silicon Epitaxial Schottky Barrier、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 SOD-523-2 封装。

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1SS422(TE85L,F)

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、原产国家或地区 日本、单件重量 0.000085 oz。

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