Toshiba
1SS417(TL3,T)
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 125 C、技术 Si、类型 Silicon Epitaxial Schottky Barrier、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 100 mA、重复反向电压（Vrrm） 45 V，采用 fSC-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 二极管
- 产品系列
- 1SS417
- 封装
- fSC-2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 产品
- Schottky Diodes
- 正向电流（If）
- 100 mA
- 重复反向电压（Vrrm）
- 45 V
- 正向电压（Vf）
- 0.62 V
- 正向浪涌电流（Ifsm）
- 1 A
- 配置
- Single
- 技术
- Si
- 反向电流（Ir）
- 5 uA
- 工作温度范围
- -40～100 °C
- 高度
- 0.48 mm
- 长度
- 0.8 mm
- 工作温度范围
- + 125 C
展开更多参数（2 项）
- 类型
- Silicon Epitaxial Schottky Barrier
- 宽度
- 0.6 mm
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。