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Toshiba

1SS417CT,L3F

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 1 mA、重复反向电压(Vrrm) 45 V、正向电压(Vf) 0.28 V、正向浪涌电流(Ifsm) 1 A,采用 CST-2 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Toshiba
产品类别
二极管
封装
CST-2
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带

技术参数

11 项参数
产品
Schottky Diodes
正向电流(If)
1 mA
重复反向电压(Vrrm)
45 V
正向电压(Vf)
0.28 V
正向浪涌电流(Ifsm)
1 A
配置
Single
技术
Si
反向电流(Ir)
5 uA
工作温度范围
-40~100 °C
耗散功率(Pd)
100 mW
反向电压(Vr)
40 V

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

1SS417CT,L3F 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技